這些領(lǐng)域中最為人熟知的就是集成電路芯片（例如Intel處理器，手機(jī)內(nèi)存，閃存等等），所以我們經(jīng)常以集成電路芯片產(chǎn)業(yè)指代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)（另外主要還有分立器件以及光電器件兩個大類）。全球先進(jìn)制程半導(dǎo)體的需求持續(xù)增加，半導(dǎo)體制程技術(shù)演進(jìn)，也使得組件尺寸越做越精密，但是組件也開始出現(xiàn)可靠度（翹曲、脫層、裂痕）與制程上的問題，對于半導(dǎo)體的可靠性測試、故障分析及壽命推算的要求也越來越嚴(yán)苛，所以就需要進(jìn)行氣候環(huán)境模擬試驗（凝露、呼吸、溫濕度結(jié)合、溫度沖擊、高低溫交變循環(huán)等）相關(guān)組件與組件的壽命時間拉長，但是又需要縮短試驗的時間，因此必須要進(jìn)行加速壽命與強(qiáng)迫吸濕試驗，將相關(guān)半導(dǎo)體可靠度試驗會參考與引用的測試規(guī)范整理于此專區(qū)

技術(shù)文章規(guī)范

JEDEC半導(dǎo)體可靠度測試與規(guī)范

說明：JEDEC半導(dǎo)體業(yè)界的一個標(biāo)準(zhǔn)化組織，制定固態(tài)電子方面的工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)（半導(dǎo)體、記憶體），成立超過50年，是一個全球性的組織，他所制定的標(biāo)準(zhǔn)是很多產(chǎn)業(yè)都能夠接受何采納的，內(nèi)容包含了專業(yè)術(shù)語的定義、產(chǎn)品的規(guī)格、測試方法、可靠度試驗要求等，涵蓋內(nèi)容非常廣。

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JEP122G-2011半導(dǎo)體元件的失效機(jī)制和模型

說明：加速壽命試驗用于提早發(fā)現(xiàn)半導(dǎo)體潛在的故障原因，并估算可能的失效率透過相關(guān)活化能與加速因子公式，用于加速壽命測試下進(jìn)行估算與故障率統(tǒng)計。幫助企業(yè)提高產(chǎn)品的合格率，降低生產(chǎn)成本，提高企業(yè)競爭力

JEP150.01=2013與組裝固態(tài)表面安裝組件相關(guān)的應(yīng)力測試驅(qū)動失效機(jī)理

說明：GBA、LCC貼合在PCB上，采用一組較常使用的加速可靠度測試，用來評估生產(chǎn)工藝與產(chǎn)品的散熱，找出潛在的故障機(jī)制，或是可能造成錯誤失敗的任何原因。

JESD22-A101D.01-2021穩(wěn)態(tài)溫濕度偏置壽命測試

說明：本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了在施加偏壓的條件下進(jìn)行溫度-濕度壽命測試的定義方法和條件，該測試用來評估潮濕環(huán)境中非氣密性包裝的固態(tài)設(shè)備可靠性，如：密封IC器件

采用高溫或高濕條件以加速水分通過外部的保護(hù)材料（密封劑或密封），或沿著外部保護(hù)涂層與導(dǎo)體與其他穿過部件之間的界面滲透。

JESD22-A102E-2015封裝IC無偏壓PCT試驗

說明：用來評價非氣密封裝器件在水汽凝結(jié)或飽和水汽環(huán)境下抵御水汽的完整性，樣品在高壓下處于凝結(jié)的、高濕度環(huán)境中，以使水汽進(jìn)入封裝體內(nèi)，暴露出封裝中的弱點(diǎn)，如分層和金屬化層的腐蝕。該試驗用來評價新的封裝結(jié)構(gòu)或封裝體中材料、設(shè)計的更新。應(yīng)該注意，在該試驗中會出現(xiàn)一些與實(shí)際應(yīng)用情況不符的內(nèi)部或外部失效機(jī)制。由于吸收的水汽會降低大多數(shù)聚合物材料的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度，當(dāng)溫度高于玻璃化轉(zhuǎn)變溫度時，可能會出現(xiàn)非真實(shí)的失效模式

JESD22-A104F-2020溫度循環(huán)

說明：溫度循環(huán)TCT測試是讓IC零件經(jīng)受極高溫和極低溫之間，來回溫度轉(zhuǎn)換的可靠度測試，進(jìn)行該測試時將IC零件重復(fù)暴露于這些條件下，經(jīng)過指定的循環(huán)次數(shù)，過程被要求其指定升降溫的溫變速率（℃/min），另外需確認(rèn)溫度是否有效滲透到測試品內(nèi)部。

JESD22-A105D-2020功率和溫度循環(huán)

說明：本測試適用于受溫度影響的半導(dǎo)體元器件，過程中需要在指定高低溫差條件下，開啟或關(guān)閉測試電源，溫度循環(huán)還有電源測試，是確認(rèn)元器件的承受能力，目的是模擬實(shí)際會遇到的最差狀況。

JESD22-A106B.01-2016溫度沖擊

說明：進(jìn)行此溫度沖擊測試，是為了確保半導(dǎo)體元器件，對于突然暴露在極端高低溫條件下的抵抗力及影響，此試驗其溫變率過快并非模擬真正實(shí)際使用情況，其目的是施加較嚴(yán)苛的應(yīng)力于半導(dǎo)體元器件上，加速其脆弱點(diǎn)的破壞，找出可能的潛在性損害。

JESD22-A110E-2015有偏壓的HAST高度加速壽命試驗

說明：依據(jù)JESD22-A110規(guī)范，高低溫濕熱試驗箱都是可以進(jìn)行元器件高溫高濕的試驗，而且試驗過程中需要施加偏壓，目的是加速元器件腐蝕，高溫高濕試驗箱可以有效縮短試驗時間

推薦設(shè)備：

冷熱沖擊試驗箱http://www.0745zfw.com/labcompanion_Product_2064183367.html?_v=1704472660

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